iPhone 5s完全拆解技术细节揭秘(组图)
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![]() | 比起外观设计上的变化,这一代设备iphone 5s更加注重硬件上的革新。因此,在它发售之后我们就更有必要去了解它技术上的奥秘了。不久前我们已经看过了iFixit所放出的拆解视频,现在他们的“好朋友”ChipWorks 也来操刀,带来更多前者没有提及的细节: 第一眼看整体设计 图片:99931.jpg ![]() M7协处理器 图片:248935.jpg ![]() 幸运的是,我们终于锁定了M7,它实质上是由恩智浦(NXP)半导体公司生产的LPC18A1芯片。恩智浦LPC1800系列性能很高,基于Cortex-M3微控制器。我们曾通过分析师和合作伙伴的渠道,认定M7将会由恩智浦来供应。现在事实的确如此,这对于他们来说是一次大胜。 图片:444067.jpg ![]() 图片:818341.jpg ![]() 图片:264847.jpg ![]() 图片:545984.jpg ![]() M7之子——三轴加速计、三轴陀螺仪和电子罗盘 图片:558421.jpg ![]() 图片:675415.jpg ![]() 图片:949042.jpg ![]() 至于那块标注着 B329 的 MEMS,则确实是由意法半导体提供的三轴陀螺仪。 图片:236514.jpg ![]() 图片:121127.jpg ![]() 图片:373126.jpg ![]() 图片:685272.jpg ![]() 图片:729268.jpg ![]() 图片:206517.jpg ![]() 光从外观来看,A7与上一款芯片几乎完全一样,但真相却是隐藏在内部的,因此我们只能够通过数据来说话。上图是一张苹果A6芯片(APL0598)横截面的电子显微镜图像,展示了一组晶体管,很明显是三星的32nm HKMG(金属栅极)工艺。为了方便起见我们测量了十个晶体管的总长度,得到1230nm这个数据,因此其栅极间距为123nm。 因此,实际的差距是28×28/32×32=784/1024,相当于只用了77%的面积就实现了与之前相等的功能。为方便想象,让我们假设A7芯片的大小为102×102mm,而A6仅为97×97mm,这多出来的地方就能够实现更多职能。 摄像头 图片:1.jpg ![]() iSight摄像头上标有“DNL”字样,说明镜头模组属于索尼IMX 145,与iPhone 4s和iPhone 5的一致。镜头模组的尺寸为8.6mmx7.8mmx5.6mm,其中包括一个经过定制的1.5 ?m索尼Exmor-RS堆栈式传感器。 从X光下观察iSight摄像头的侧视图,我们可以看到苹果的传统设计:一个陶瓷工艺的芯片座,背后安装了背照式 CMOS 图像传感器。凹凸结合的设计是为了让信号垫与芯片座相连接。 图片:2.jpg ![]() Wi-Fi系统芯片 出现在这个模块中的是 BCM4334,我们在iPhone 5上已经见过它了。它包括IEEE 802.11 a/b/g/n single-stream MAC/baseband/radio、蓝牙4.0+HS,还有一个集成FM无线电接收器。它将与外置2.4gHz及5GHz前端模组搭配使用,后者包括功率放大器、T/R 转换器和可选择的低噪放大器。 图片:3.jpg ![]() 接下来是高通MDM9615M 4G LTE调制解调器,它采用双芯片处理办法,以三星DRAM的形式储存特定的运营商信息及三星生产的 LTE 基带处理器。最近这种设计非常流行,今年我们已经在大批智能手机上看到相同的方案了。 图片:4.jpg ![]() | |
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