Standard Setup（标准设定）窗口
Date/Time： 显示当前的日期/时间，可修改。
Floppy Drive A，B：设定软盘驱动器类型为None/720K/1.2M/1.44M/2.88M 。
Pri Master/Slave以及Sec Master/Slave： 此选项可设定：
HDD Type（硬盘类型）：Auto(自动检测)、SCSI(SCSI HDD)、CD－ROM驱动器、
Floptical(LS－120大容量软驱)或是Type 1～47等IDE设备。
LBA/Large：硬盘LBA/Large 模式是否打开。目前540M以上的硬盘都要将此选项打开 (On)，但在Novell Netware 3.xx或4.xx版等网络操作系统下要视情况将它关掉(Off)。
Block Mode：将此选项设为On，有助于硬盘存取速度加快，但有些旧硬盘不支持此模式，必须将此选项设为Off。
32 Bit Mode：将此选项设为On，有助于在32位的操作系统（如WIN95/NT）下加快硬盘传输速度，有些旧硬盘不支持此模式，必须将此选项设为Off。
PIO Mode：支持PIO Mode0～Mode5(DMA/33)。用B
ios程序自动检查硬盘时，会自动设置硬盘的PIO Mode。
注意：当你在系统中接上一台IDE设备（如硬盘、光驱等）时，最好进入BIOS，让它自动检测。如果使用的是抽屉式硬盘的话，可将Type设成Auto，或将Primary以及Secondary的Type都改成 Auto 即可。所谓Primary指的是第一IDE接口，对应于
主板上的IDE0插口，Secondary指的是第二IDE接口，对应于主板上的IDE1插口。每个IDE接口可接Master/Slave（主/从）两台IDE设备。
Advanced Setup（高级设定）窗口
1st/2rd/3rd/4th Boot Device：开机启动设备的顺序，可选择由IDE0～3、SCSI、光驱、软驱、 Floptical (LS－120大容量软驱)或由Network(网络)开机。
S.M.A.R.T For HardDisk：开启（Enable）硬盘S.M.A.R.T 功能。如果硬盘支持，此功能将提高硬盘运行速度。
Quick Boot：开启此功能后，可使开机速度加快。中 华 考 试 网
Floppy Drive Swap：若将此功能Enable，可使A驱与B驱互换。
PS/2 Mouse Support：是否开启PS/2鼠标口，若设定为Enable，则开机时，将IRQ12保留给PS/2鼠标使用，若设定为Disable，则IRQ12留给系统使用。
Pass
word Check：设定何时检查Pass
word(口令)，若设定成Setup时，每次进入BIOS设定时将会要求输入口令，若设定成Always时，进入BIOS或系统开机时，都会要求输入口令，但先决条件是必须先设定口令(Security窗口中的User选项)。
Primary Display：设定显示卡的种类。
internal Cache：是否开启
cpu内部高速缓存（L1 Cache），应设为Enable。 External Cache：是否开启主板上的高速缓存（L2 Cache），应设为Enable。
System BIOS Cacheable：是否将系统BIOS程序复制到
内存中，以加快BIOS 存取速度。
C000－DC00，16K Shadow：此8项是将主内存的UpperMemory（上位内存区）开启，将所有插卡上 ROM程序映射到内存中，以加快CPU对BIOS的执行效率。Disable：不开启本功能；Enable：开启，且可提供读写区段功能；Cached：开启，但不提供读写功能。中 华 考 试 网
Chipset Setup（芯片组设定）窗口
本功能中的选项有助于系统效率的提升，建议使用默认值。若将某些Chipset、DRAM/SDRAM或SRAM 部分的Timing值设得过快，可能会导致系统"死机"或运行不稳定，这时可试着将某些选项的速度值设定慢一点。
USB Function Enabled：此选项可开启USB接口的功能，如没有USB设备，建议将此选项设为Disable，否则会浪费一个IRQ资源。
DRAM Write Timing：设定DRAM的写入时序，建议值如下：70ns DRAM： X－3－3－3； 60ns DRAM：X－2－2－2。
Page Mode DRAM Read Timing：设定DRAM读取时序，建议值如下 ：70ns DRAM： X－4－4－4；60ns DRAM： X－3－3－3。
RAS Precharge Period：设定DRAM/EDO RAM的Precharge（预充电）时间，建议设成4T。
RAS to CAS Delay Time：设定DRAM中RAS到CAS延迟时间，建议设定成3T。
EDO DRAM Read Timing：设定EDO DRAM读取时序，建议值如下：70ns DRAM ： X－3－3－3；60ns DRAM ：X－2－2－2。
DRAM Speculative Read：此选项是设定DRAM推测性的引导读取时序，建议设定成Disable。
SDRAM CAS Latency：设定SDRAM的CAS信号延迟时序，建议设定值如下 ：15ns(66MHz)/12ns(75MHz) SDRAM：3 10ns(100MHz) SDRAM：2。
SDRAM Timing： 设定SDRAM(同步内存)的时序，建议设定值如下：15ns(66MHz)/12ns(75MHz) SDRAM：3－6－9 10ns(100MHz) SDRAM：3－4－7。
